CSXX型抗辐射N沟场效应晶体管
成果名称 | CSXX型抗辐射N沟场效应晶体管 |
第一完成单位 | 哈尔滨工业大学重庆研究院 |
共同完成单位 | 哈尔滨工业大学 |
成果来源 | 重点计划研发项目 |
产业领域 | 新一代电子信息制造业 |
技术成熟度 | 样品 |
转化需求 | 技术许可,作价入股,委托开发,合作开发,技术咨询,技术服务 |
成果介绍 | CSXX 型抗辐射 N沟场效应晶体管是为空间环境应用研制的高可靠场效应晶体管,抗总剂量能力达到 100krad(Si),抗单粒子烧毁和栅穿能力 LET 值达到 75MeVcm2/mg。该器件开关速度快,易于并联,温度稳定性好,具有高漏源电压、低导通电阻和低栅电荷特点,可有效降低开关损耗,可应用于宇航用电机驱动、DC/DC变换器等。 |
知识产权 | 研究团队正在进行专利布局。 |