CSXX型抗辐射N沟场效应晶体管

成果名称 CSXX型抗辐射N沟场效应晶体管
第一完成单位 哈尔滨工业大学重庆研究院
共同完成单位 哈尔滨工业大学
成果来源 重点计划研发项目
产业领域 新一代电子信息制造业
技术成熟度 样品
转化需求 技术许可,作价入股,委托开发,合作开发,技术咨询,技术服务
成果介绍 CSXX 型抗辐射 N沟场效应晶体管是为空间环境应用研制的高可靠场效应晶体管，抗总剂量能力达到 100krad(Si),抗单粒子烧毁和栅穿能力 LET 值达到 75MeVcm2/mg。该器件开关速度快，易于并联，温度稳定性好，具有高漏源电压、低导通电阻和低栅电荷特点，可有效降低开关损耗，可应用于宇航用电机驱动、DC/DC变换器等。
知识产权 研究团队正在进行专利布局。